Imprimer la page
IPD80R1K4CEATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3.9 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R1K4CEATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC9051RL
Bandes découpées13AC9051
Gamme de produitCoolMOS CE
Egalement appeléIPD80R1K4CE, SP001130972
Votre numéro de pièce
2 450 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,670 $ | 2,67 $ |
| Total Prix | 2,67 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,670 $ |
| 50+ | 1,700 $ |
| 100+ | 1,140 $ |
| 250+ | 1,020 $ |
| 500+ | 0,903 $ |
| 1000+ | 0,826 $ |
| 2500+ | 0,809 $ |
| 5000+ | 0,794 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R1K4CEATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC9051RL
Bandes découpées13AC9051
Gamme de produitCoolMOS CE
Egalement appeléIPD80R1K4CE, SP001130972
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id3.9A
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd63W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
63W
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit