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IPD80R360P7ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R360P7ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine24AC9045RL
Bandes découpées24AC9045
Gamme de produitCoolMOS P7
Votre numéro de pièce
7 108 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,630 $ | 4,63 $ |
| Total Prix | 4,63 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,630 $ |
| 50+ | 2,640 $ |
| 100+ | 2,450 $ |
| 250+ | 2,280 $ |
| 500+ | 2,110 $ |
| 1000+ | 2,070 $ |
| 2500+ | 2,030 $ |
| 5000+ | 1,990 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R360P7ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine24AC9045RL
Bandes découpées24AC9045
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id13A
On Resistance Rds(on)0.31ohm
Drain Source On State Resistance0.36ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation84W
Power Dissipation Pd84W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
800V CoolMOS™ P7 power transistor. Recommended for hard and soft switching flyback topologies for LED lighting, low power chargers and adapters, audio, AUX power and industrial power. Also suitable for PFC stage in consumer applications and solar.
- Best-in-class FOM RDS(on)*Eoss; reduced Qg, Ciss and Coss
- Best-in-class DPAK RDS(on)
- Best-in-class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V
- Integrated Zener diode ESD protection
- Fully qualified according to JEDEC for industrial applications
- Fully optimized portfolio
- Best-in-class performance, easy to drive and to parallel
- Enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs
- Better production yield by reducing ESD related failures
- Less production issues and reduced field returns
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.31ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
84W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Drain Source On State Resistance
0.36ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
84W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit