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IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET, N-CH, 800V, 1.5A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R4K5P7ATMA1
Code Commande34AC1690
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Options de conditionnement
2 240 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,640 $ |
| 10+ | 1,070 $ |
| 25+ | 0,958 $ |
| 50+ | 0,854 $ |
| 100+ | 0,748 $ |
| 250+ | 0,679 $ |
| 500+ | 0,609 $ |
| 1000+ | 0,565 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,64 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R4K5P7ATMA1
Code Commande34AC1690
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source On State Resistance4.5ohm
On Resistance Rds(on)4.5ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd13W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation13W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
4.5ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
On Resistance Rds(on)
4.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
13W
Power Dissipation
13W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IPD80R4K5P7ATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits