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IPG20N10S4L35ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 20 A, 0.029 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N10S4L35ATMA1Copie
Code Commande13AC9060
Gamme de produitOptiMOS T2 Series
Votre numéro de pièce
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,537 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N10S4L35ATMA1Copie
Code Commande13AC9060
Gamme de produitOptiMOS T2 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id20A
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel43W
Power Dissipation P Channel43W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- OptiMOS™ -T2 power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id
20A
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
43W
Product Range
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit