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IPN80R2K4P7ATMA1
MOSFET, N-CH, 800V, 2.5A, 6.3W, SOT-223
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPN80R2K4P7ATMA1
Code Commande93AC7127
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
184 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,690 $ |
| 10+ | 1,170 $ |
| 25+ | 1,060 $ |
| 50+ | 0,943 $ |
| 100+ | 0,833 $ |
| 250+ | 0,761 $ |
| 500+ | 0,687 $ |
| 1000+ | 0,641 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,69 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPN80R2K4P7ATMA1
Code Commande93AC7127
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance2ohm
On Resistance Rds(on)2ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd6.3W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation6.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
6.3W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
On Resistance Rds(on)
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits