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IPP80R1K4P7XKSA1
MOSFET, N-CH, 800V, 4A, TO-220
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP80R1K4P7XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande34AC1721
Gamme de produitCoolMOS P7
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,020 $ |
| 10+ | 2,240 $ |
| 100+ | 1,460 $ |
| 500+ | 1,200 $ |
| 1000+ | 1,130 $ |
| 2500+ | 1,060 $ |
| 10000+ | 0,942 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,02 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP80R1K4P7XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande34AC1721
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd32W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation32W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
32W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPP80R1K4P7XKSA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit