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IPP90R1K2C3XKSA2
MOSFET, N-CH, 900V, 5.1A, 150DEG C, 83W
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP90R1K2C3XKSA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande02AH6892
Gamme de produitCoolMOS C3
Votre numéro de pièce
468 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,620 $ |
| 10+ | 2,340 $ |
| 100+ | 1,580 $ |
| 500+ | 1,210 $ |
| 1000+ | 1,160 $ |
| 2500+ | 1,140 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,62 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP90R1K2C3XKSA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande02AH6892
Gamme de produitCoolMOS C3
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id5.1A
On Resistance Rds(on)0.94ohm
Drain Source On State Resistance0.94ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation83W
Power Dissipation Pd83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C3
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
On Resistance Rds(on)
0.94ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.1A
Drain Source On State Resistance
0.94ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit