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IRF200B211
MOSFET, N-CH, 200V, 12A, TO-220AB
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF200B211Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande12AC9749
Gamme de produitStrongIRFET, HEXFET Series
Votre numéro de pièce
5 344 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,080 $ |
| 10+ | 1,420 $ |
| 100+ | 1,310 $ |
| 500+ | 1,220 $ |
| 1000+ | 1,150 $ |
| 2500+ | 1,060 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,08 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF200B211Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande12AC9749
Gamme de produitStrongIRFET, HEXFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
On Resistance Rds(on)0.135ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation Pd80W
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET, HEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
80W
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET, HEXFET Series
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.135ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.9V
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit