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IRF2805PBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 175 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 10+ | 2,120 $ |
| 100+ | 2,080 $ |
| 500+ | 2,060 $ |
| 1000+ | 2,030 $ |
| 3000+ | 1,980 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF2805PBF
Code Commande38K2761
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id175A
On Resistance Rds(on)0.0047ohm
Drain Source On State Resistance0.0047ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation330W
Power Dissipation Pd330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The IRF2805PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. It features 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This combination makes the design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.0047ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
175A
Drain Source On State Resistance
0.0047ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit