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IRF540NPBF
Power MOSFET, HEXFET, N Channel, 100 V, 33 A, 44 mohm, TO-220AB, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRF540NPBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
| Code Commande | 63J7319 |
| Gamme de produit | HEXFET Series |
| Egalement appelé | SP001561906 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
37 560 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,530 $ |
| 10+ | 1,670 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
| 500+ | 0,945 $ |
| 1000+ | 0,927 $ |
| 2500+ | 0,907 $ |
| 10000+ | 0,889 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,53 $
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRF540NPBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
| Code Commande | 63J7319 |
| Gamme de produit | HEXFET Series |
| Egalement appelé | SP001561906 |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Continuous Drain Current Id | 33A |
| Drain Source On State Resistance | 0.044ohm |
| On Resistance Rds(on) | 0.044ohm |
| Transistor Case Style | TO-220AB |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation Pd | 130mW |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Power Dissipation | 130W |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Product Range | HEXFET Series |
| Qualification | - |
| MSL | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The IRF540NPBF is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 44mohm at Vgs of 10V
- Power dissipation Pd of 130W at 25°C
- Continuous drain current Id of 33A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Drain Source On State Resistance | 0.044ohm |
| Transistor Case Style | TO-220AB |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | HEXFET Series |
| MSL | - |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 33A |
| On Resistance Rds(on) | 0.044ohm |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Power Dissipation Pd | 130mW |
| Power Dissipation | 130W |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |