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IRF7341GTRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7341GTRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine49AC0327
Bandes découpées49AC0327
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,882 $ | 0,88 $ |
| Total Prix | 0,88 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,882 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7341GTRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine49AC0327
Bandes découpées49AC0327
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id5.1A
Continuous Drain Current Id N Channel5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.043ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.7W
Power Dissipation P Channel1.7W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
HEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Advanced process technology
- Dual N-channel MOSFET
- Ultra-low on-resistance
- 175°C operating temperature
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id
5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.7W
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.7W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit