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IRF7779L2TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 67 A, 11 mohm, DirectFET L8, Surface Mount
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| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,850 $ | 9,85 $ |
| Total Prix | 9,85 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,850 $ |
| 10+ | 6,200 $ |
| 25+ | 5,690 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7779L2TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine91Y4756
Bandes découpées91Y4756
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id67A
Drain Source On State Resistance11mohm
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Transistor Case StyleDirectFET L8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins15Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
11mohm
Transistor Case Style
DirectFET L8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
15Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
67A
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit