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IRFH6200TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Surface Mount
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,560 $ | 3,56 $ |
| Total Prix | 3,56 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,560 $ |
| 10+ | 2,190 $ |
| 25+ | 1,960 $ |
| 50+ | 1,760 $ |
| 100+ | 1,530 $ |
| 250+ | 1,390 $ |
| 500+ | 1,260 $ |
| 1000+ | 1,150 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH6200TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine91Y4700
Bandes découpées91Y4700
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)750µohm
Drain Source On State Resistance950µohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
750µohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
950µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit