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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP250MPBF
Code Commande91Y4707
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.075ohm
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd214W
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Dynamic dv/dt rating
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
- Planar cell structure for wide SOA
- Product qualification according to JEDEC standard
- Targeted for high power density
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.075ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
214W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRFP250MPBF
1 produit trouvé
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit