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IRLHS6242TRPBF
MOSFET,N CH,DIODE,20V,10A,PQFN22
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,989 $ | 4,94 $ |
| Total Prix | 4,94 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,989 $ |
| 10+ | 0,577 $ |
| 25+ | 0,533 $ |
| 50+ | 0,487 $ |
| 100+ | 0,442 $ |
| 250+ | 0,391 $ |
| 500+ | 0,338 $ |
| 1000+ | 0,305 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLHS6242TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine99AC3987
Bandes découpées99AC3987
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id22A
On Resistance Rds(on)0.0094ohm
Drain Source On State Resistance0.0117ohm
Transistor Case StyleDFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd9.6W
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation9.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0094ohm
Transistor Case Style
DFN2020
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 2 - 1 year
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Drain Source On State Resistance
0.0117ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
9.6W
Power Dissipation
9.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit