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IRLML2502PBF
Power MOSFET, HEXFET, N Channel, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRLML2502PBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 43 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine97K2351RL Bandes découpées97K2351 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
40 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,627 $ | 0,63 $ |
| Total Prix | 0,63 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,627 $ |
| 50+ | 0,482 $ |
| 100+ | 0,400 $ |
| 250+ | 0,336 $ |
| 500+ | 0,283 $ |
| 1000+ | 0,239 $ |
| 2500+ | 0,196 $ |
| 5000+ | 0,167 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRLML2502PBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 43 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine97K2351RL Bandes découpées97K2351 |
| Fiche technique | |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Continuous Drain Current Id | 4.2A |
| On Resistance Rds(on) | 0.045ohm |
| Drain Source On State Resistance | 0.045ohm |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 1.25W |
| Rds(on) Test Voltage | 4.5V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.2V |
| Power Dissipation | 1.25W |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| Qualification | - |
| MSL | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The IRLML2502PBF is 20V single N channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 20V
- Gate to source voltage of ±12V
- On resistance Rds(on) of 35mohm at Vgs 4.5V
- Power dissipation Pd of 1.25W at 25°C
- Continuous drain current Id of 4.2A at vgs 4.5V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| On Resistance Rds(on) | 0.045ohm |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Power Dissipation Pd | 1.25W |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.2V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | - |
| MSL | - |
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 4.2A |
| Drain Source On State Resistance | 0.045ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 4.5V |
| Power Dissipation | 1.25W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IRLML2502PBF
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |