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IRLML6246TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLML6246TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Mise en bobine64AH3718RL
Bandes découpées64AH3718
Votre numéro de pièce
1 302 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,640 $ | 0,64 $ |
| Total Prix | 0,64 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,640 $ |
| 50+ | 0,391 $ |
| 100+ | 0,247 $ |
| 250+ | 0,216 $ |
| 500+ | 0,185 $ |
| 1000+ | 0,165 $ |
| 2500+ | 0,146 $ |
| 5000+ | 0,128 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLML6246TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Mise en bobine64AH3718RL
Bandes découpées64AH3718
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.1A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation1.3W
Power Dissipation Pd1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
IRLML6246TRPBF is a HEXFET power MOSFET in a 3 pin SOT-23 package. Suitable for load/system switch applications.
- Drain-source voltage is 20V
- Gate-to-source voltage is ±12V
- Continuous drain current is 4.1A VGS at 10V, TA = 25°C
- RDS(on) max is 46mohm (at VGS = 4.5V)
- Maximum power dissipation is 1.3W at TA = 25°C
- Operating temperature range from -55 to 150°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.3W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.1A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
Power Dissipation Pd
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit