Imprimer la page
IRLML6402TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.7 A, 0.065 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLML6402TRPBF
Code Commande97K2355
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
94 230 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,529 $ |
| 10+ | 0,296 $ |
| 25+ | 0,259 $ |
| 50+ | 0,220 $ |
| 100+ | 0,182 $ |
| 250+ | 0,176 $ |
| 500+ | 0,167 $ |
| 1000+ | 0,151 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,53 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLML6402TRPBF
Code Commande97K2355
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.7A
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation1.3W
Power Dissipation Pd1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRLML6402PBF is -20V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications such as battery and load management, portable electronics and PCMCIA cards and printed circuit board where space is at a premium.
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±12V
- On resistance Rds(on) of 80mohm at Vgs -2.5V
- Power dissipation Pd of 1.3W at 25°C
- Continuous drain current Id of -3.7A at Vgs -4.5V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
- 0.01W/°C linear derating factor
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.3W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
Power Dissipation Pd
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRLML6402TRPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits