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IRLMS6802TRPBF
MOSFET, P-CH, 20V, 5.6A, SOT-23
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLMS6802TRPBF
Code Commande
Mise en bobine39AH8957
Bandes découpées39AH8957
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
73 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,960 $ |
| 10+ | 0,587 $ |
| 25+ | 0,529 $ |
| 50+ | 0,470 $ |
| 100+ | 0,412 $ |
| 250+ | 0,369 $ |
| 500+ | 0,326 $ |
| 1000+ | 0,281 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLMS6802TRPBF
Code Commande
Mise en bobine39AH8957
Bandes découpées39AH8957
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.6A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
On Resistance Rds(on)0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2W
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.6A
On Resistance Rds(on)
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit