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ISP75DP06LMXTSA1
MOSFET, P-CH, -60V, -1.1A, 150DEG C ROHS COMPLIANT: YES
430 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,160 $ |
| 10+ | 0,723 $ |
| 25+ | 0,643 $ |
| 50+ | 0,561 $ |
| 100+ | 0,480 $ |
| 250+ | 0,422 $ |
| 500+ | 0,362 $ |
| 1000+ | 0,248 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISP75DP06LMXTSA1
Code Commande
Mise en bobine42AH1866
Bandes découpées42AH1866
Gamme de produitOptiMOS
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.621ohm
On Resistance Rds(on)0.621ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd4.2W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.621ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
4.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
OptiMOS
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
On Resistance Rds(on)
0.621ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits