Imprimer la page
SPD02N80C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPD02N80C3ATMA1
Code Commande33P8203
Egalement appeléSPD02N80C3, SP001117754
Fiche technique
Options de conditionnement
1 660 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,370 $ |
| 10+ | 1,000 $ |
| 25+ | 0,940 $ |
| 50+ | 0,880 $ |
| 100+ | 0,821 $ |
| 250+ | 0,733 $ |
| 500+ | 0,645 $ |
| 1000+ | 0,625 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,37 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPD02N80C3ATMA1
Code Commande33P8203
Egalement appeléSPD02N80C3, SP001117754
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)2.4ohm
Drain Source On State Resistance2.7ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd42W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SPD02N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for PC power, solar and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- Low specific ON-state resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- Periodic avalanche rated
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Applications
Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Lighting, Alternative Energy
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
2.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
2.4ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
42W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SPD02N80C3ATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits