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IXZ2210N50L
RF FET Transistor, 500 V, 10 A, 360 W, 175 MHz
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantIXYS RF
Réf. FabricantIXZ2210N50L
Code Commande42M1939
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id10A
Power Dissipation360W
Operating Frequency Min-
Power Dissipation Pd360W
Operating Frequency Max175MHz
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins8Pins
RF Transistor Case-
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
360W
Power Dissipation Pd
360W
Transistor Case Style
SMD
RF Transistor Case
-
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Continuous Drain Current Id
10A
Operating Frequency Min
-
Operating Frequency Max
175MHz
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
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Certificat de conformité du produit