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IXFK44N80P
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
530 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 28,990 $ |
| 5+ | 24,270 $ |
| 10+ | 21,770 $ |
| 25+ | 21,030 $ |
| 50+ | 20,370 $ |
| 100+ | 19,980 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
28,99 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK44N80P
Code Commande58M7611
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
On Resistance Rds(on)0.19ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.2kW
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.2kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The IXFK44N80P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
On Resistance Rds(on)
0.19ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
1.2kW
Power Dissipation
1.2kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits