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IXFN82N60P
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 72 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 5 V SOT-227B
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN82N60P
Code Commande58Y5889
Gamme de produitPolar HiPerFET Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN82N60P
Code Commande58Y5889
Gamme de produitPolar HiPerFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id72A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.075ohm
On Resistance Rds(on)0.075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd1.04kW
Power Dissipation1.04kW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
72A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.04kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.04kW
Product Range
Polar HiPerFET Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit