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IXFP8N85X
MOSFET, N-CH, 850V, 8A, TO-220
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFP8N85XCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4556
Gamme de produitX-Class HiPerFET
Votre numéro de pièce
300 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,370 $ |
| 10+ | 6,220 $ |
| 25+ | 5,070 $ |
| 50+ | 3,920 $ |
| 100+ | 3,590 $ |
| 250+ | 3,310 $ |
| 500+ | 3,010 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,37 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFP8N85XCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4556
Gamme de produitX-Class HiPerFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds850V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation Pd200W
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX-Class HiPerFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
850V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
200W
No. of Pins
3Pins
Product Range
X-Class HiPerFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit