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IXTP4N65X2
Power MOSFET, X2-Class, N Channel, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTP4N65X2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande02AC9842
Votre numéro de pièce
147 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,880 $ |
| 10+ | 4,910 $ |
| 25+ | 3,950 $ |
| 50+ | 2,980 $ |
| 100+ | 2,700 $ |
| 250+ | 2,460 $ |
| 500+ | 2,220 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,88 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTP4N65X2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande02AC9842
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd80W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
80W
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IXTP4N65X2
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit