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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN230N20T
Code Commande03AH0733
Gamme de produitGigaMOS Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
100+ | 34,480 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 300
Multiple: 10
10 344,00 $
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN230N20T
Code Commande03AH0733
Gamme de produitGigaMOS Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id220A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd1.09kW
Power Dissipation1.09kW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeGigaMOS Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
220A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.09kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.09kW
Product Range
GigaMOS Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit