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IXFN360N15T2
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 310 A, 150 V, 0.004 ohm, 10 V, 5 V
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN360N15T2
Code Commande54AK7027
Gamme de produitGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Fiche technique
79 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 66,290 $ |
| 5+ | 58,160 $ |
| 10+ | 55,330 $ |
| 25+ | 53,450 $ |
| 50+ | 52,490 $ |
| 100+ | 51,610 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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66,29 $
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN360N15T2
Code Commande54AK7027
Gamme de produitGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id310A
Drain Source Voltage Vds150V
Drain Source On State Resistance0.004ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1070W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1070W
Product Range
GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Continuous Drain Current Id
310A
Drain Source On State Resistance
0.004ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit