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IXFN520N075T2
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 480 A, 75 V, 0.0015 ohm, 10 V, 5 V
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN520N075T2
Code Commande03AH0765
Gamme de produitTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Fiche technique
270 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 47,030 $ |
| 5+ | 40,900 $ |
| 10+ | 34,780 $ |
| 25+ | 32,720 $ |
| 100+ | 30,680 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
47,03 $
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN520N075T2
Code Commande03AH0765
Gamme de produitTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id480A
Drain Source Voltage Vds75V
Drain Source On State Resistance0.0015ohm
On Resistance Rds(on)0.0015ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation940W
Operating Temperature Max175°C
Power Dissipation Pd940W
Product RangeTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
480A
Drain Source On State Resistance
0.0015ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
940W
Power Dissipation Pd
940W
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
On Resistance Rds(on)
0.0015ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits