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IXFP56N30X3M
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFP56N30X3MCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant80 semaines
Code Commande03AH0836
Gamme de produitX3-Class HiPerFET Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,710 $ |
| 10+ | 13,400 $ |
| 25+ | 11,090 $ |
| 50+ | 8,780 $ |
| 100+ | 8,110 $ |
| 250+ | 7,530 $ |
| 500+ | 6,940 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFP56N30X3MCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant80 semaines
Code Commande03AH0836
Gamme de produitX3-Class HiPerFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id56A
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation36W
Power Dissipation Pd36W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
SVHCTo Be Advised
Produits de remplacement pour IXFP56N30X3M
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
36W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
36W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
X3-Class HiPerFET Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits