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IXFQ60N50P3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 60 A, 0.11 ohm, TO-3P, Through Hole
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFQ60N50P3
Code Commande03AH0867
Gamme de produitPolar3 HiPerFET Series
Fiche technique
21 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,540 $ |
| 25+ | 9,670 $ |
| 100+ | 8,920 $ |
| 250+ | 7,610 $ |
| 500+ | 7,470 $ |
| 1000+ | 7,320 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,54 $
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFQ60N50P3
Code Commande03AH0867
Gamme de produitPolar3 HiPerFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd1.04kW
Power Dissipation1.04kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangePolar3 HiPerFET Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.04kW
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.04kW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
Polar3 HiPerFET Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits