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IXTH6N120
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 6 A, 2.6 ohm, TO-247AD, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,910 $ |
| 5+ | 13,910 $ |
| 10+ | 12,840 $ |
| 25+ | 12,840 $ |
| 100+ | 11,920 $ |
| 500+ | 10,420 $ |
| 1000+ | 10,220 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTH6N120
Code Commande03AH1525
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance2.6ohm
On Resistance Rds(on)2.6ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd300W
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
2.6ohm
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
300W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
2.6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits