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IXTP01N100D
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-220, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,250 $ |
| 25+ | 8,440 $ |
| 100+ | 5,630 $ |
| 250+ | 5,260 $ |
| 500+ | 4,900 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTP01N100D
Code Commande03AH1606
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id400mA
Drain Source On State Resistance50ohm
On Resistance Rds(on)50ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation25W
Power Dissipation Pd25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
50ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
25W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
400mA
On Resistance Rds(on)
50ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits