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IXXN110N65C4H1
IGBT Module, Single, 210 A, 2.06 V, 750 W, 175 °C, SOT-227B
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXXN110N65C4H1
Code Commande03AH1987
Gamme de produitXPT GenX4 Series
Fiche technique
146 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 32,670 $ |
| 5+ | 32,670 $ |
| 10+ | 28,320 $ |
| 25+ | 26,980 $ |
| 100+ | 25,680 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
32,67 $
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXXN110N65C4H1
Code Commande03AH1987
Gamme de produitXPT GenX4 Series
Fiche technique
DC Collector Current210A
IGBT ConfigurationSingle
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.06V
Continuous Collector Current210A
Power Dissipation Pd750W
Collector Emitter Saturation Voltage2.06V
Power Dissipation750W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleSOT-227B
No. of Pins4Pins
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product RangeXPT GenX4 Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
DC Collector Current
210A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.06V
Power Dissipation Pd
750W
Power Dissipation
750W
Operating Temperature Max
175°C
No. of Pins
4Pins
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
IGBT Configuration
Single
Continuous Collector Current
210A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.06V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Case Style
SOT-227B
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
-
Product Range
XPT GenX4 Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits