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MSC080SMA120S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-268 (D3PAK)
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| Quantité | Prix |
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Informations produit
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantMSC080SMA120S
Code Commande78AH6587
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleTO-268 (D3PAK)
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation Pd182W
Power Dissipation182W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation
182W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-268 (D3PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
182W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits