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CM100BU-12H
IGBT Module, H Bridge, 100 A, 600 V, 400 W, 150 °C, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
Informations produit
FabricantMITSUBISHI ELECTRIC
Réf. FabricantCM100BU-12H
Code Commande09B2199
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationH Bridge
DC Collector Current100A
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage600V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)600V
Power Dissipation Pd400W
Power Dissipation400W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Transistor Case StyleModule
No. of Pins4Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
600V
Power Dissipation Pd
400W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
No. of Pins
4Pins
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
IGBT Configuration
H Bridge
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
600V
Power Dissipation
400W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
-
Product Range
-
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit