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CM75BU-12H
IGBT Module, H Bridge, 75 A, 3 V, 310 W, 150 °C, Module
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FabricantMITSUBISHI ELECTRIC
Réf. FabricantCM75BU-12H
Code Commande09B2243
Gamme de produitU- Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
Informations produit
FabricantMITSUBISHI ELECTRIC
Réf. FabricantCM75BU-12H
Code Commande09B2243
Gamme de produitU- Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationH Bridge
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current75A
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage3V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)600V
Power Dissipation Pd310W
Power Dissipation310W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Transistor Case StyleModule
No. of Pins12Pins
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product RangeU- Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
H Bridge
DC Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Power Dissipation Pd
310W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
No. of Pins
12Pins
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
600V
Power Dissipation
310W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
-
Product Range
U- Series
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit