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BC846BW,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBC846BW,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant8 semaines
Code Commande
Bobine complète97W1873
Mise en bobine67T1011RL
Bandes découpées67T1011
Votre numéro de pièce
5 166 En Stock
5 166 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,317 $ | 0,32 $ |
| Total Prix | 0,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,317 $ |
| 10+ | 0,198 $ |
| 25+ | 0,171 $ |
| 50+ | 0,146 $ |
| 100+ | 0,120 $ |
| 250+ | 0,103 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,059 $ |
| 6000+ | 0,055 $ |
| 12000+ | 0,052 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBC846BW,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant8 semaines
Code Commande
Bobine complète97W1873
Mise en bobine67T1011RL
Bandes découpées67T1011
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max65V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo65V
Continuous Collector Current100mA
DC Collector Current100mA
Power Dissipation Pd200mW
Power Dissipation200mW
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE200hFE
DC Current Gain hFE Min200hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
BC846BW,115 is a NPN general-purpose transistor in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. It is suitable for general-purpose switching and amplification applications.
- Collector-base breakdown voltage is 80V min at IC=100µA; IE=0A, Tamb=25°C
- Collector-emitter breakdown voltage is 65V min at IC=10mA; IE=0 A, Tamb=25°C
- Emitter-base breakdown voltage is 6V min at IE=100µA, IC=0A; Tamb=25°C
- Emitter-base cut-off current is 100nA max at VEB=5V, IC=0A, Tamb=25°C
- 290 DC current gain at VCE=5V, IC=10μA, Tamb=25°C
- Transition frequency is 100MHz min at VCE=5V, IC=10mA; f=100MHz, Tamb=25°C
- Collector capacitance is 3pF max at VCB=10V; IE=ie=0A; f=1MHz;Tamb=25°C
- Emitter capacitance is 11pF typ at VEB=0.5V, IC=ic=0A; f=1MHz;Tamb=25°C
- Noise figure is 2dB typ at IC=200 A; VCE=5V; RS=2kohm; f=1kHz; B =200Hz; Tamb=25°C
- Ambient temperature range from -65 to 150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
65V
DC Collector Current
100mA
Power Dissipation
200mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
100MHz
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
65V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
200mW
Transistor Case Style
SOT-323
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BC846BW,115
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit