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BC847BS,115
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBC847BS,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète25AC6311
Bobine complète97W1878
Mise en bobine11N8499RL
Bandes découpées11N8499
Votre numéro de pièce
20 722 En Stock
20 722 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,473 $ | 2,36 $ |
| Total Prix | 2,36 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,473 $ |
| 50+ | 0,287 $ |
| 100+ | 0,176 $ |
| 250+ | 0,152 $ |
| 500+ | 0,128 $ |
| 1000+ | 0,114 $ |
| 2500+ | 0,111 $ |
| 5000+ | 0,109 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,055 $ |
| 6000+ | 0,085 $ |
| 12000+ | 0,081 $ |
| 18000+ | 0,074 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBC847BS,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète25AC6311
Bobine complète97W1878
Mise en bobine11N8499RL
Bandes découpées11N8499
Fiche technique
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN220mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSC-88
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BC847BS from NXP is a surface mount NPN/PNP general purpose transistor in SOT-363 (SC-88) package. This transistor is characterized with low collector capacitance, low collector to emitter saturation voltage and closely matched current gain. It reduces number of components and board space. There is no mutual interference between the transistors. Suitable for general purpose switching and amplification.
- Collector to emitter voltage is 45V
- Collector current (Ic) is 100mA
- Current gain of 200 at VCE 5V
- Power dissipation (Pd) is 250mW per transistor
- Ambient temperature range from -65°C to 150°C
- Collector emitter saturation voltage of 300mV at 100mA collector current
- Transition frequency of 100MHz
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
220mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SC-88
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
-
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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