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BC848W,115
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,188 $ | 0,94 $ |
| Total Prix | 0,94 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,188 $ |
| 10+ | 0,120 $ |
| 15+ | 0,108 $ |
| 25+ | 0,099 $ |
| 50+ | 0,088 $ |
| 125+ | 0,076 $ |
| 250+ | 0,067 $ |
| 500+ | 0,057 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBC848W,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine32AC6689RL
Bandes découpées32AC6689
Gamme de produitBC848
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation200mW
Power Dissipation Pd200mW
Transistor Case StyleSC-70
DC Collector Current100mA
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE110hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min110hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeBC848
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
200mW
Transistor Case Style
SC-70
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
110hFE
Product Range
BC848
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
200mW
DC Collector Current
100mA
DC Current Gain hFE
110hFE
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit