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BC857CM,315
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
3 958 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,508 $ | 2,54 $ |
| Total Prix | 2,54 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,508 $ |
| 50+ | 0,315 $ |
| 100+ | 0,200 $ |
| 250+ | 0,175 $ |
| 500+ | 0,149 $ |
| 1000+ | 0,132 $ |
| 2500+ | 0,129 $ |
| 5000+ | 0,126 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBC857CM,315Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine73AH9714RL
Bandes découpées73AH9714
Gamme de produitBC857M
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo45V
Collector Emitter Voltage Max45V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation430mW
Power Dissipation Pd430mW
DC Collector Current100mA
Transistor Case StyleDFN1006
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE420hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min420hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeBC857M
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
430mW
DC Collector Current
100mA
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
420hFE
Product Range
BC857M
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
430mW
Transistor Case Style
DFN1006
DC Current Gain hFE
420hFE
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit