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BSH111BKR
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSH111BKRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4489
Mise en bobine84Y9812RL
Bandes découpées84Y9812
Votre numéro de pièce
7 906 En Stock
7 906 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,344 $ | 0,34 $ |
| Total Prix | 0,34 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,344 $ |
| 50+ | 0,158 $ |
| 100+ | 0,139 $ |
| 250+ | 0,123 $ |
| 500+ | 0,106 $ |
| 1000+ | 0,104 $ |
| 2500+ | 0,102 $ |
| 5000+ | 0,099 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,081 $ |
| 9000+ | 0,071 $ |
| 15000+ | 0,070 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSH111BKRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4489
Mise en bobine84Y9812RL
Bandes découpées84Y9812
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id210mA
On Resistance Rds(on)2.3ohm
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd302mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation302mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSH111BK from Nexperia is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable for relay driver, high speed line driver, low-side load switch and switching circuits
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 3 kV HBM
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
2.3ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210mA
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
302mW
Power Dissipation
302mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit