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BSS123,215
Power MOSFET, N Channel, 130 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSS123,215Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète97W1930
Mise en bobine95M4165RL
Bandes découpées95M4165
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,582 $ | 2,91 $ |
| Total Prix | 2,91 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,582 $ |
| 50+ | 0,355 $ |
| 100+ | 0,227 $ |
| 250+ | 0,199 $ |
| 500+ | 0,169 $ |
| 1000+ | 0,152 $ |
| 2500+ | 0,149 $ |
| 5000+ | 0,146 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,111 $ |
| 9000+ | 0,108 $ |
| 15000+ | 0,107 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSS123,215Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète97W1930
Mise en bobine95M4165RL
Bandes découpées95M4165
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id150mA
On Resistance Rds(on)3.5ohm
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd250mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation250mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSS123 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very high speed switching and logic level compatibility. BS123 is suitable for high speed line drivers, telephone ringer and relay drivers.
- Drain to source voltage (Vds) of 100V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 150mA
- Power dissipation (Pd) of 250mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
3.5ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
250mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150mA
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit