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BUK4D110-20PX
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Surface Mount
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBUK4D110-20PX
Code Commande82AH4498
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6.7A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
On Resistance Rds(on)0.075ohm
Transistor Case StyleDFN2020MD
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation7.5W
Power Dissipation Pd7.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Case Style
DFN2020MD
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
7.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.7A
On Resistance Rds(on)
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
Power Dissipation Pd
7.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits