Imprimer la page
BUK6D22-30EX
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 7.2 A, 0.022 ohm, DFN2020MD, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
225 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,820 $ |
| 10+ | 0,641 $ |
| 25+ | 0,574 $ |
| 50+ | 0,506 $ |
| 100+ | 0,438 $ |
| 250+ | 0,394 $ |
| 500+ | 0,348 $ |
| 1000+ | 0,304 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,10 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBUK6D22-30EX
Code Commande07AH3638
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleDFN2020MD
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
BUK6D22-30EX is a 30V, N-channel trench MOSFET. It is used in applications such as relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, switching circuits.
- Side wettable flanks for optical solder inspection
- Electro static discharge (ESD) protection <gt/> 2kV HBM (class H2)
- Trench MOSFET technology, AEC-Q101 qualified
- Drain-source breakdown voltage is 30V min at (ID = 250µA; VGS = 0V; Tj = 25°C)
- Drain leakage current is 1µA max at (VDS = 30V; VGS = 0V; Tj = 25°C)
- Gate resistance is 2ohm typical at (f = 1MHz)
- Input capacitance is 440pF typ at (VDS = 15V; f = 1MHz; VGS = 0V; Tj = 25°C)
- Rise time is 18ns typ at (VDS = 15V; ID = 7.2A; VGS = 10V; RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C)
- Fall time is 7ns typ at (VDS = 15V; ID = 7.2A; VGS = 10V; RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C)
- Ambient temperature range from -55°C to 175°C, SOT1220 package
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
DFN2020MD
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits