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GAN190-650EBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN190-650EBEZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine74AK7564RL
Bandes découpées74AK7564
Votre numéro de pièce
816 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 12,620 $ | 12,62 $ |
| Total Prix | 12,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,620 $ |
| 50+ | 8,830 $ |
| 100+ | 6,890 $ |
| 250+ | 6,500 $ |
| 500+ | 6,110 $ |
| 1000+ | 5,200 $ |
| 2500+ | 4,520 $ |
| 5000+ | 4,390 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN190-650EBEZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine74AK7564RL
Bandes découpées74AK7564
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11.5A
Drain Source On State Resistance0.138ohm
Typical Gate Charge2.8nC
Transistor Case StyleDFN8080
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.138ohm
Transistor Case Style
DFN8080
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11.5A
Typical Gate Charge
2.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit