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GANB8R0-040CBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGANB8R0-040CBAZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM3443RL
Bandes découpées27AM3443
Votre numéro de pièce
5 465 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,780 $ | 3,78 $ |
| Total Prix | 3,78 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,780 $ |
| 50+ | 2,070 $ |
| 100+ | 1,900 $ |
| 250+ | 1,760 $ |
| 500+ | 1,610 $ |
| 1000+ | 1,580 $ |
| 2500+ | 1,540 $ |
| 5000+ | 1,510 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGANB8R0-040CBAZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM3443RL
Bandes découpées27AM3443
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds-
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance-
Typical Gate Charge10.1nC
Transistor Case StyleWLCSP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins16Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
-
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
WLCSP
No. of Pins
16Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
14A
Typical Gate Charge
10.1nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit