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GANB8R0-040CBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,830 $ |
| 10+ | 3,280 $ |
| 25+ | 2,980 $ |
| 50+ | 2,700 $ |
| 100+ | 2,410 $ |
| 250+ | 2,260 $ |
| 500+ | 2,090 $ |
| 1000+ | 1,980 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,83 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGANB8R0-040CBAZ
Code Commande27AM3443
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds-
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance-
Typical Gate Charge10.1nC
Transistor Case StyleWLCSP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins16Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
-
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
WLCSP
No. of Pins
16Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
14A
Typical Gate Charge
10.1nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit