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NGW30T65M3DFPQ
IGBT, 57 A, 1.5 V, 199 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNGW30T65M3DFPQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM4564RL
Bandes découpées27AM4564
Votre numéro de pièce
430 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 10,620 $ | 10,62 $ |
| Total Prix | 10,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,620 $ |
| 50+ | 7,240 $ |
| 100+ | 6,350 $ |
| 250+ | 5,470 $ |
| 500+ | 4,570 $ |
| 1000+ | 4,300 $ |
| 2500+ | 4,000 $ |
| 5000+ | 3,920 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNGW30T65M3DFPQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM4564RL
Bandes découpées27AM4564
Fiche technique
Aperçu du produit
NGW30T65M3DFPQ is a 650V, 30A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW30T65M3DFP is rated to 175°C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short-circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 650V, 50A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and soft fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit