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NGW75T65M3DFPQ
IGBT, 80 A, 1.49 V, 529 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNGW75T65M3DFPQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM4570RL
Bandes découpées27AM4570
Votre numéro de pièce
450 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 17,720 $ | 17,72 $ |
| Total Prix | 17,72 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 17,720 $ |
| 50+ | 12,450 $ |
| 100+ | 11,060 $ |
| 250+ | 9,660 $ |
| 500+ | 8,260 $ |
| 1000+ | 7,820 $ |
| 2500+ | 7,680 $ |
| 5000+ | 7,530 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNGW75T65M3DFPQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM4570RL
Bandes découpées27AM4570
Fiche technique
Aperçu du produit
NGW75T65M3DFPQ is a 650V, 75A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW75T65M3DFP is rated to 175 °C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short-circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 650V, 75A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and soft fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit