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NSF030120L3A0Q
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNSF030120L3A0QCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM5735RL
Bandes découpées03AM5735
Votre numéro de pièce
445 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 48,100 $ | 48,10 $ |
| Total Prix | 48,10 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 48,100 $ |
| 50+ | 36,510 $ |
| 100+ | 30,220 $ |
| 250+ | 29,470 $ |
| 500+ | 28,710 $ |
| 1000+ | 27,490 $ |
| 2500+ | 26,940 $ |
| 5000+ | 26,400 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNSF030120L3A0QCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM5735RL
Bandes découpées03AM5735
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id67A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation306W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
67A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
306W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit